Компания SK hynix представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.
Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.
Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые...
Технологии динамической памяти продолжают своё развитие. Несмотря на то, что появление DDR5 SDRAM ожидается лишь в 2020 году, некоторое время тому назад компания SK Hynix, занимающее место второго по величине производителя DRAM, приступила к разработкам следующего поколения перспективной памяти, DDR6 SDRAM. Как ожидается, такая память сможет обеспечить достижение скоростей до 12 Гбит/c на контакт. Но не стоит ждать быстрых перемен: как утверждают представители SK Hynix, разработка будет завершена в лучшем случае в течение ближайших 5–6 лет.
...
Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о доступности 8-гигабитных микросхем памяти GDDR6 — Graphics Double Data Rate шестого поколения.
Ещё в апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.
Теперь в обновлённом каталоге SK Hynix говорится о доступности GDDR6-изделий с обозначениями H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C. Решения первого типа...
О новом поколении памяти GDDR мы писали не так давно. Компания SK Hynix, один из ведущих производителей DRAM-устройств в мире, заявила, что массово GDDR6, а именно такой порядковый номер получило очередное поколение графической видеопамяти, будет производиться уже к началу следующего, 2018 года. Похоже, руководство SK Hynix состоит из реалистов — на конференции GTC 2017, проходящей на этой неделе, компания продемонстрировала первые кремниевые пластины с кристаллами GDDR6.
Речь идёт о вполне рабочих образцах, а не о муляжах....
Казалось бы, концепция памяти GDDR, вне зависимости от цифры или суффикса, стоящего в конце, устарела и наступает эра HBM — многослойной памяти, которая имеет массу преимуществ перед традиционными чипами; в первую очередь, это, конечно, простота конструкции графической карты, ведь на печатной плате не требуется разводить множество линий под 256-битную, а то и более широкую шину памяти. Но HBM также требует сложной и хрупкой структуры подложки-интерпозера, себестоимость которой довольно высока, да и масштабы производства самих сборок HBM2 пока ещё не те, чтобы...
Южнокорейский чипмейкер SK Hynix утверждает, что его новые 8-гигабитные микросхемы памяти GDDR6, рассчитанные на производство по технологии 2Znm, обладают рекордной на сегодняшний день пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт. В совокупности с поддержкой шины памяти с разрядностью 384 бит это обеспечивает скорость передачи данных до 768 Гбайт/с.
Появление на рынке первых видеокарт с данными чипами ожидается в начале 2018 года. Разумеется, речь идёт пока только о решениях верхнего ценового диапазона, причём в SK Hynix...
SK Hynix на этой неделе опубликовала финансовые результаты за 2016 год, а также рассказала о планах на 2017. Как и ожидалось, компания намерена начать массовое производство новых типов памяти и расширить производственные мощности. Примечательно то, что в краткосрочной перспективе SK Hynix намеревается вкладывать средства в увеличение производства NAND флеш-памяти, но не в увеличение выпуска DRAM.
SK Hynix начала...
Корпорация SK Hynix объявила о планах по строительству новой фабрики по изготовлению NAND флеш-памяти в Южной Корее, а также о намерении модернизировать фабрику по производству оперативной памяти (dynamic random-access memory DRAM) в Китае с целью сохранить её возможности на текущем уровне. Оба проекта потребуют от SK Hynix начальных инвестиций на уровне $2,6 млрд (₩315 трлн) и будут завершены в 2019–2020 годах. Со временем компания планирует вложить дополнительные средства в расширение производства DRAM и NAND в Южной Корее.
...
Компании SK Hynix и Toshiba отрапортовали о новых достижениях в разработке магниторезистивной памяти (MRAM).
Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля.
SK Hynix и Toshiba применяют...
SK Hynix добавила в каталог своей продукции сборку микросхем памяти типа LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт. Новое устройство, наряду с аналогом производства Samsung, открывает производителям смартфонов и планшетов возможность создавать смартфоны и планшеты с 8 Гбайт оперативной памяти.
8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти LPDDR4 использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 3733 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 29,8 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-...
Подписывайтесь на нас:
